Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 - SSD - verschlüsselt - 1TB - intern - M.2 2280 - PCIe 5,0 x2 (NVMe) - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2,0 (MZ-V9S1T0BW)
- Samsung (MZ-V9S1T0BW)
- ArtNr: 100516108
- GTIN: 8806095575674
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Produktbeschreibung
Die Samsung 990 EVO Plus ist ein internes Solid State-Laufwerk, das für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde. Mit einer robusten Kapazität von 1 TB bietet sie reichlich Speicherplatz für eine Vielzahl von Dateien und Anwendungen. Das Laufwerk nutzt PCI Express 5.0 und bietet interne Datenraten von bis zu 7150 MB/s, was einen schnellen Datenabruf und minimale Ladezeiten ermöglicht. Die V-NAND TLC-Technologie von Samsung verbessert die Leistung und Ausdauer, so dass sie sich sowohl für den täglichen Gebrauch als auch für intensive Aufgaben eignet. Dieses Laufwerk ist so konzipiert, dass es einer Reihe von Umgebungsbedingungen standhält. Es arbeitet effektiv bei Temperaturen von 0°C bis 70°C und widersteht Lagertemperaturen von -40°C bis 85°C. Es bietet TRIM-Unterstützung und einen Auto Garbage Collection Algorithmus, der eine optimale Leistung über einen längeren Zeitraum gewährleistet. Die Sicherheit wird durch die Hardwareverschlüsselung und die Konformität mit TCG Opal Encryption 2.0 priorisiert, wodurch die Daten vor unbefugtem Zugriff geschützt werden.
| Produktbeschreibung | Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 - SSD - 1 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe) |
| Typ | Solid State Drive - intern |
| Kapazität | 1 TB |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-Bit-AES |
| NAND-Flash-Speichertyp | TLC (Triple-Level Cell) |
| Formfaktor | M.2 2280 |
| Schnittstelle | PCIe 5.0 x2 (NVMe) |
| Merkmale | Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 |
| Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) | 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm |
| Gewicht | 9 g |
Technische Daten
| Allgemein | |
| Gerätetyp | Solid State Drive - intern |
| Kapazität | 1 TB |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-Bit-AES |
| NAND-Flash-Speichertyp | TLC (Triple-Level Cell) |
| Formfaktor | M.2 2280 |
| Schnittstelle | PCIe 5.0 x2 (NVMe) |
| Merkmale | Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Geräte-Schlafunterstützung, Host Memory Buffer (HMB), TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 |
| Breite | 22.15 mm |
| Tiefe | 80.15 mm |
| Höhe | 2.38 mm |
| Gewicht | 9 g |
| Leistung | |
| Interner Datendurchsatz | 7150 MBps (lesen)/ 6300 MBps (Schreiben) |
| Maximal 4 KB Random Write | 1350000 IOPS |
| Maximal 4 KB Random Read | 850000 IOPS |
| Zuverlässigkeit | |
| MTBF | 1.500.000 Stunden |
| Erweiterung und Konnektivität | |
| Kompatibles Schaltfeld | M.2 2280 |
| Stromversorgung | |
| Energieverbrauch | 4.3 Watt (Lesen) 4.2 Watt (Schreiben) 60 mW (Standby) 5 mW (Sleep-Modus) |
| Software & Systemanforderungen | |
| Software inbegriffen | Samsung Magician Software |
| Verschiedenes | |
| Gehäusematerial | Nickelbeschichtung |
| Umgebungsbedingungen | |
| Min Betriebstemperatur | 0 °C |
| Max. Betriebstemperatur | 70 °C |
| Schocktoleranz (nicht in Betrieb) | 1500 g @ 0,5 ms |
| Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) | 20 g @ 20-2000 Hz |
Herstellerinformation
| Name | Samsung |
| Handelsname | Samsung |
| IMB2BProducts@samsung.de | |
| Straße | PO Box 12987 |
| Ort | GU46 6GG Dublin |
| Land | Irland |
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