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  • Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0CW (MZ-V9P4T0CW)

Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0CW - SSD - verschlüsselt - 4TB - intern - M.2 2280 - PCIe 4,0 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption - integrierter Kühlkörper (MZ-V9P4T0CW)

  • Samsung (MZ-V9P4T0CW)
  • ArtNr: 100303631
  • GTIN: 8806094946857
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Produktbeschreibung

Entdecken Sie die Samsung 990 PRO, ein Solid-State-Laufwerk, das mit seiner Kapazität von 4 TB und fortschrittlichen Funktionen, die für Effizienz und Sicherheit entwickelt wurden, den Speicher neu definiert. Entwickelt mit der Samsung V-NAND 3bit MLC-Technologie, bietet diese interne Festplatte außergewöhnliche Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit und ist damit die ideale Wahl für Profis und Enthusiasten gleichermaßen. Die PCI Express 4.0 x4 (NVMe)-Schnittstelle sorgt für schnelle Datenübertragungsraten, während der integrierte Kühlkörper das Gerät auch bei starker Beanspruchung kühl hält. Mit Unterstützung für TRIM, Garbage Collection-Technologie und Device Sleep Mode bietet es eine Mischung aus Leistung und Energieeffizienz. Sicherheit ist oberstes Gebot: 256-Bit-AES-Hardwareverschlüsselung und TCG Opal Encryption sorgen für ein sicheres Gefühl. Ob Sie nun spielen, an großen Projekten arbeiten oder einfach nur einen zuverlässigen Speicher benötigen, der Samsung 990 PRO ist der Aufgabe gewachsen.

Produktbeschreibung Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0CW - SSD - 4 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Typ Solid State Drive - intern
Kapazität 4 TB
Integrierter Kühlkörper Ja
Hardwareverschlüsselung Ja
Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC)
Formfaktor M.2 2280
Schnittstelle PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, TRIM-Unterstützung, Geräte-Schlafunterstützung, Garbage Collection-Technologie, 2 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T.
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 24.3 mm x 80 mm x 8.2 mm
Gewicht 28 g

Technische Daten

Allgemein
Gerätetyp Solid State Drive - intern
Kapazität 4 TB
Hardwareverschlüsselung Ja
Verschlüsselungsalgorithmus 256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp Multi-Level-Cell (MLC)
Integrierter Kühlkörper Ja
Formfaktor M.2 2280
Schnittstelle PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, TRIM-Unterstützung, Geräte-Schlafunterstützung, Garbage Collection-Technologie, 2 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T.
Breite 24.3 mm
Tiefe 80 mm
Höhe 8.2 mm
Gewicht 28 g
Leistung
Interner Datendurchsatz 7450 MBps (lesen)/ 6900 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write 1550000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF 1,500,000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch 5.5 Watt (Durchschnitt)
55 mW (Leerlauf)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen Samsung Magician Software
Verschiedenes
Kennzeichnung IEEE 1667
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur 0 °C
Max. Betriebstemperatur 70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb) 0,5 ms Sinushalbwellen
Schocktoleranz (nicht in Betrieb) 1500 g

Herstellerinformation

Name Samsung
Handelsname Samsung
Email IMB2BProducts@samsung.de
Straße PO Box 12987
Ort GU46 6GG Dublin
Land Irland

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