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Samsung 860 EVO MZ-M6E500BW - SSD - verschlüsselt - 500 GB - intern - mSATA - SATA 6Gb/s - Puffer: 512 MB - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2.0
- Samsung (MZ-M6E500BW)
- ArtNr: 3985709
- GTIN: 8801643076320
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(4)★★★★★★★★★★
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Produktbeschreibung
Produktmerkmale:
- Verfügbare Kapazitäten: 250 GB, 500 GB, 1 TB
- Sequenzielle Datenübertragungsraten von bis zu 550 MB/s lesend bzw. 520 MB/s schreibend
- Ein-/Ausgabeoperationen: bis zu 97.000 IOPS (Random Read) bzw. 88.000 IOPS (Random Write)
- Intelligent TurboWrite mit SLC-Schreibpuffer für maximale Schreib-Performance
- Zeichnet sich durch eine robuste V-NAND Technologie aus
- M.2-Formfaktor für hohe Kompatiblität mit kompakten PCs, Notebooks und Ultrabooks
- Schnittstelle: SATA 6 Gb/s, abwärtskompatibel mit SATA 3 Gb/s und SATA 1,5 Gb/s
- Leistungsfähige Magician Software zur Verwaltung des Laufwerks, Migration Software zum Umzug von Festplatte auf SSD
- Bis 600 TB TBW
Hauptmerkmale
| Produktbeschreibung | Samsung 860 EVO MZ-M6E500BW - Solid-State-Disk - 500 GB - SATA 6Gb/s |
| Typ | Solid-State-Disk - intern |
| Kapazität | 500 GB |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-Bit-AES |
| NAND-Flash-Speichertyp | 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) |
| Formfaktor | mSATA |
| Schnittstelle | SATA 6Gb/s |
| Datenübertragungsrate | 600 MBps |
| Puffergrösse | 512 MB |
| Merkmale | TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667 |
| Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) | 29.85 mm x 50.8 mm x 3.85 mm |
| Gewicht | 8.5 g |
Technische Daten
| Allgemein | |
| Gerätetyp | Solid-State-Disk - intern |
| Kapazität | 500 GB |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-Bit-AES |
| NAND-Flash-Speichertyp | 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC) |
| Formfaktor | mSATA |
| Schnittstelle | SATA 6Gb/s |
| Puffergröße | 512 MB |
| Merkmale | TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667 |
| Breite | 29.85 mm |
| Tiefe | 50.8 mm |
| Höhe | 3.85 mm |
| Gewicht | 8.5 g |
| Leistung | |
| SSD-Leistung | 300 TB |
| Übertragungsrate Laufwerk | 600 MBps (extern) |
| Interner Datendurchsatz | 550 MBps (lesen)/ 520 MBps (Schreiben) |
| Maximal 4 KB Random Write | 88000 IOPS |
| Maximal 4 KB Random Read | 97000 IOPS |
| Zuverlässigkeit | |
| MTBF | 1,500,000 Stunden |
| Erweiterung und Konnektivität | |
| Schnittstellen | 1 x SATA 6 Gb/s |
| Kompatibles Schaltfeld | mSATA |
| Stromversorgung | |
| Energieverbrauch | 2.5 Watt (Durchschnitt) 4.5 Watt (Maximum) |
| Umgebungsbedingungen | |
| Min Betriebstemperatur | 0 °C |
| Max. Betriebstemperatur | 70 °C |
| Schocktoleranz (in Betrieb) | 1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen |