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FAQ zum Relaunch

Das Samsung M425R1GB4BB0-CWM ist ein DDR5-Speichermodul mit 8 GB Kapazität. Es erreicht eine Taktfrequenz von 5600 MHz bei einer Betriebsspannung von 1.1 V und entspricht der Spezifikation PC5-44800. Das Modul ist als ungepuffertes SO-DIMM mit 262 Pin ausgeführt, besitzt die CAS-Latenz CL46 und unterstützt keine ECC-Funktion.

  • 8 GB DDR5
  • 5600 MHz
  • SO-DIMM 262-Pin
  • PC5-44800
  • CL46
  • 1.1 V
  • Ungepuffert
  • Keine ECC-Unterstützung

CAS-Latenz: CL46
ECC-Unterstützung: Nein
Kapazität: 8 GB
Modell: M425R1GB4BB0-CWM
Produkttyp: Speichermodul
Registriert oder gepuffert: Unregistered (unbuffered)
Speichergeschwindigkeit: 5600 MHz
Speichermodul-Spezifikation: PC5-44800
UNSPSC: 43201402
Verpackungsgewicht (brutto): 0,03 kg
eClass: 19-03-03-08

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