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  • Samsung 860 EVO MZ-N6E2T0BW (MZ-N6E2T0BW)

Samsung 860 EVO MZ-N6E2T0BW - SSD - verschlüsselt - 2TB - intern - M.2 2280 - SATA 6Gb/s - Puffer: 2GB - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2,0 (MZ-N6E2T0BW)

  • Samsung (MZ-N6E2T0BW)
  • ArtNr: 3985706
  • GTIN: 8801643068660
Kapazität : 2 TB
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Produktbeschreibung

Die kompakte M.2-Version der SSD 860 EVO bietet hervorragende Charakteristika wie hohe Leistung bei länger andauernden Arbeitslasten, geringe Performance-Schwankungen und hohe Belastbarkeit bei Schreibvorgängen. Die Platine im M.2 2280-Format unterstützt das SATA-Protokoll und eignet sich für entsprechende Stecksockel in Notebooks oder Kleinsystemen. Alle Feautures gleichen denen der 2.5" -Varianten.

Produktmerkmale:
  • Verfügbare Kapazitäten: 250 GB, 500 GB, 1 TB, 2 TB
  • Sequenzielle Datenübertragungsraten von bis zu 550 MB/s lesend bzw. 520 MB/s schreibend
  • Ein-/Ausgabeoperationen: bis zu 97.000 IOPS (Random Read) bzw. 88.000 IOPS (Random Write)
  • Intelligent TurboWrite mit SLC-Schreibpuffer für hohe Schreib-Performance
  • Zeichnet sich durch eine robuste V-NAND Technologie aus
  • M.2-Formfaktor für hohe Kompatiblität mit kompakten PCs, Notebooks und Ultrabooks
  • Schnittstelle: SATA 6 Gb/s, abwärtskompatibel mit SATA 3 Gb/s und SATA 1,5 Gb/s
  • Leistungsfähige Magician Software zur Verwaltung des Laufwerks, Migration Software zum Umzug von Festplatte auf SSD
  • Bis zu 1.200 TB TBW

Hauptmerkmale

Produktbeschreibung Samsung 860 EVO MZ-N6E2T0BW - Solid-State-Disk - 2 TB - SATA 6Gb/s
Typ Solid-State-Disk - intern
Kapazität 2 TB
Hardwareverschlüsselung Ja
Encryption Algorithm 256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC)
Formfaktor M.2 2280
Schnittstelle SATA 6Gb/s
Datenübertragungsrate 600 MBps
Puffergrösse 2 GB
Merkmale Stoßfest, TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 22.15 mm x 80.15 mm x 2.38 mm
Gewicht 8 g

Technische Daten

Allgemein
Gerätetyp Solid-State-Disk - intern
Kapazität 2 TB
Hardwareverschlüsselung Ja
Encryption Algorithm 256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp 3D Zelle mit mehreren Ebenen (MLC)
Formfaktor M.2 2280
Schnittstelle SATA 6Gb/s
Puffergröße 2 GB
Merkmale Stoßfest, TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, TurboWrite Technology, eDrive, Samsung MJX Controller, 3-bit 3D V-NAND Technology, S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667
Breite 22.15 mm
Tiefe 80.15 mm
Höhe 2.38 mm
Gewicht 8 g
Leistung
Übertragungsrate Laufwerk 600 MBps (extern)
Interner Datendurchsatz 550 MBps (lesen)/ 520 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write 88000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read 97000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF 1,500,000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen 1 x SATA 6 Gb/s - M.2 Card
Kompatibles Schaltfeld M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch 3 Watt (Durchschnitt)
4.5 Watt (Maximum)
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur 0 °C
Max. Betriebstemperatur 70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb) 1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen
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